摘要：三星正式发布面向 AI 算力基础设施的新一代 3D 存储技术路线，超 400 层 V10 BV-NAND、垂直堆叠 zHBM 两大前沿方案全球首次亮相。

关键词：工业防潮柜，AI内存，MSD烘烤箱

　　尚鼎除湿撰：在 2026 未来存储与内存大会（FMS）上，三星正式发布面向 AI 算力基础设施的新一代 3D 存储技术路线，超 400 层 V10 BV-NAND、垂直堆叠 zHBM 两大前沿方案全球首次亮相，重构 AI 时代内存与闪存架构，同时对先进芯片全流程湿敏管控提出全新挑战。

一、两大核心技术亮点

400 层 V10 Bonding V-NAND（BV-NAND）依托晶圆键合新工艺实现堆叠层数突破，相比前代 V9 NAND 存储密度提升 58%，读写带宽、IO 性能同步升级。面向大模型训练、海量数据集存储需求，适配智算集群、AI 服务器大容量固态存储。多层堆叠晶圆与复合封装结构，芯片内部界面更多，水汽侵入极易引发分层、空洞缺陷，对仓储、中转、封装测试阶段防潮管控标准进一步抬高。

zHBM 垂直堆叠高带宽内存（行业概念首发）打破传统 HBM 并排布局，将内存芯片直接垂直堆叠于 AI 加速器上方，缩短数据传输路径。官方数据：综合性能约为 HBM5 的 8 倍，内存密度提升 10 倍以上，能效提升 3 倍，热阻降低一半，支持内存与算力芯片之间定制 IP 集成，是下一代超大规模 AI 训练芯片的核心方案。先进 3D 堆叠封装、超薄基板、密集微凸点结构，属于典型高等级 MSD 湿敏器件。一旦吸湿，回流焊高温下极易出现爆米花失效、堆叠界面脱层、微凸点接触不良，直接导致高端算力芯片报废。

二、前沿存储芯片凸显防潮管控刚需

随着 V-NAND 层数持续突破、HBM 向 zHBM 三维堆叠演进，芯片封装结构愈发精密复杂：

• 多层晶圆键合、超薄介质层、高密度互连结构，水汽渗透危害远高于传统平面芯片；
• AI 存储芯片单价高昂，批量失效将造成巨大成本损失；
• 研发试样、小批量原型流转环节频繁拆封真空包装，车间寿命管控压力陡增，必须严格遵循 IPC/JEDEC J-STD-033 规范。

针对 400 层 V-NAND、zHBM、高端 HBM、AI 存储主控等高精密湿敏元器件：

✅ 真空拆封后优先存放 **≤10% RH 超低湿防静电防潮柜 **；

✅ 严格记录暴露时长，超出 MSL 额定车间寿命，采用合规烘烤箱标准化烘烤；

✅ 研发实验室、封装厂、测试车间、供应链中转实现统一温湿度管控；

✅ 配套防静电结构，同步规避低湿环境静电击穿精密裸片风险。

三、尚鼎超低湿防潮解决方案适配新一代 AI 存储芯片

尚鼎工业防潮柜、MSD 烘烤箱面向 3D NAND、HBM/zHBM 等高端半导体元器件定制管控方案：

• 快速稳定超低湿除湿，稳定维持 1%~10% RH 区间，开门湿度回弹速度快，适配频繁存取试样场景；
• 全箱体防静电构造，抑制超低湿环境静电累积，保护堆叠存储芯片微电路；
• 物联网数据溯源系统，温湿度实时记录、超限报警，满足半导体工厂品质审核；
• 搭配分段式 MSD烘烤箱，严格依照 JEDEC 标准设置烘烤曲线，避免过度烘烤造成引脚氧化；
• 覆盖晶圆试样、工程样片、量产芯片、失效分析样品全场景存储需求。

结语

400 层 V-NAND 与 zHBM 亮相，标志 AI 三维存储正式进入技术落地周期。算力硬件持续迭代的背后，元器件可靠性管控是良率底线。尚鼎持续深耕半导体 MSD 防潮领域，以标准化超低湿存储方案，护航新一代 3D 堆叠内存、闪存芯片研发与量产全流程品质安全。

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