尚鼎防潮柜讯:SK海力士发布顶刊CPO技术蓝图
发布时间:2026年08月20日 点击数:
摘要:SK 海力士联合弗吉尼亚大学、MIT、南洋理工等全球多所顶尖科研机构,首次公开面向高性能 AI 集群的系统级光互联技术蓝图。
关键词:工业防潮柜,AI算力内存,MSD烘烤箱
尚鼎除湿撰:近日,SK 海力士联合弗吉尼亚大学、MIT、南洋理工等全球多所顶尖科研机构,在国际顶刊《自然・电子学》发布共封装光学 CPO 完整技术路线论文,首次公开面向高性能 AI 集群的系统级光互联技术蓝图,瞄准破解 AI 算力发展的核心 “带宽墙” 难题。
当前 AI 算力每两年性能提升约 3 倍,但芯片互联带宽仅提升 1.4 倍,性能增速与带宽扩容之间的差距持续拉大。HBM 高带宽内存已经解决单封装内部的存储瓶颈,但当 AI 集群扩展至数千颗 GPU 规模,机架之间、算力池与内存池之间的数据传输,成为制约大模型算力释放的关键短板,传统铜互连受信号损耗、功耗天花板限制,已经很难支撑下一代智算中心演进需求。

SK 海力士在论文中提出 “以光为中心” 的全新架构:短期将光收发器与处理器共封装,替代传统铜线完成高速数据交互;长期借助光子中介层,把光互联延伸至内存接口,实现多颗 AI 加速器共享大容量内存资源池,打破封装物理边界。技术指标锚定单节点带宽 100Tb/s 以上、传输功耗低于 1pJ/bit、芯片间延迟小于 10ns,规划从 2.5D 中介层逐步向 3D 异质集成迭代,为全球 AI 硬件产业给出清晰的 CPO 落地演进路径。
CPO 共封装光学属于光电深度异构集成技术,集合硅光光子芯片、光学耦合元件、2.5D 先进封装、特种光学镀膜、高速基板等多类精密器件,器件普遍属于 MSL4MSL5a 超高湿敏等级 MSD 元器件。光子波导、金属电极、光学镀膜对水汽高度敏感:器件吸潮后回流焊接会触发爆米花效应,引发封装分层、芯片开裂报废;水汽还会改变光波导折射率,直接抬升光插损、造成传输误码超标;镀层氧化、镀膜脱膜,会造成 CPO 模组性能漂移,是量产良率与长期可靠性的隐形风险点。
依据 JEDEC JSTD033D 行业规范,CPO 光子芯片、光引擎器件拆封后,需要稳定≤5% RH 超低湿存储环境冻结车间寿命,同时配套防静电防护,规避静电击穿微光器件,以此控制潮湿带来的批量失效风险。随着 CPO 从实验室论文走向产业量产,光电元器件全流程超低湿仓储管控,已经成为 CPO 产业链不可忽视的配套环节。
尚鼎快速超低湿防潮柜,面向 CPO 光引擎、硅光芯片、HBM 存储器件,提供符合 JEDEC 标准的≤5% RH 稳定超低湿存储环境,防静电一体化设计,可对接产线物联网管理,守护新一代光电异构器件存储可靠性,助力 CPO 技术规模化落地。
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