摘要：近期富加镓业取得关键进展，依托自主垂直布里奇曼（VB）法，成功生长出厚度超 70mm 的 6 英寸氧化镓单晶晶锭。

关键词：工业防潮柜，氧化镓晶，MSD烘烤箱

　　尚鼎除湿撰：作为第四代超宽禁带半导体核心材料，氧化镓凭借超高击穿场强，在高压功率器件、新能源快充、电网输变电、日盲紫外探测等赛道具备巨大产业化价值，是国内半导体材料自主攻坚的重点方向。近期富加镓业取得关键进展，依托自主垂直布里奇曼（VB）法，成功生长出厚度超 70mm 的 6 英寸氧化镓单晶晶锭，推动国产氧化镓大尺寸衬底迈向规模化量产新阶段。

此次产出的 6 英寸氧化镓晶锭实测平均厚度 70.58 mm，远超行业主流碳化硅晶锭 2050 mm 厚度区间，晶锭厚度极差仅 0.12 mm。更厚的单晶锭体可以切割产出更多合格衬底片，直接摊薄单片衬底制造成本，解决制约氧化镓商业化落地的成本痛点。经平湖实验室 HRXRD 检测，5 个测试点位 FWHM 均值 38.71 arcsec，全部低于 50 arcsec，晶体结晶质量优异；中国计量科学研究院完成电学参数标定，电学性能指标已经达到碳化硅衬底应用标准，可支撑功率器件开发验证。
回溯技术迭代路线，富加镓业先后完成 3 英寸、4 英寸 VB 法氧化镓单晶攻关，率先打通 6 英寸级大尺寸单晶制备工艺，同时布局 8 英寸、12 英寸单晶技术研发，构建 “装备衬底外延” 完整产业链能力，规划建设 6 英寸氧化镓产线，预计 2026 年底达成年产万片衬底产能，补齐国内大尺寸氧化镓衬底供应短板。

大尺寸氧化镓衬底产业化提速的同时，半导体制造全流程的环境管控挑战同步凸显。氧化镓晶圆、外延片以及后续制成的功率器件，虽本体材料化学稳定性较好，但晶圆加工后的裸片、封装完成的 MSD 湿敏器件，对水汽、静电十分敏感。在切割、研磨、外延、封装、仓储周转环节，环境湿度过高会造成晶圆表面吸附水汽，引发焊盘腐蚀；塑封氧化镓功率器件属于 MSD 湿敏元器件，遵循 JEDEC/J-STD-033 标准，一旦吸收环境水汽，SMT 高温回流焊时极易发生爆米花效应，出现分层、裂纹，造成器件批量失效报废。
在第四代半导体扩产浪潮下，氧化镓产线对超低湿存储、防静电仓储的需求持续上升。尚鼎防潮柜面向氧化镓、碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体产业链，提供快速超低湿防潮存储方案，可实现 1%-5% RH 稳定超低湿环境，适配晶圆盒、裸芯片、MSD 功率器件存放，严格契合 JEDEC 湿敏元器件存储规范，抑制水汽吸附，规避器件分层氧化风险；搭配防静电结构与物联网监控功能，可实时记录温湿度数据，满足半导体工厂追溯管理要求，为大尺寸氧化镓衬底从实验室走向量产落地筑牢环境保障底座。
随着 6 英寸氧化镓晶锭技术落地，国产氧化镓即将迎来产能释放期。材料端的突破，配合产线环境存储工艺的配套升级，将加速高压氧化镓功率器件商业化，助力新能源电力、车载高压电子等关键领域实现国产替代。

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