摘要：三星披露 HBM5、zHBM、zNANDO 等 AI 存储技术规划，先进 3D 堆叠存储器件对 MSD 湿敏管控提出更高要求。

关键词：工业防潮柜，测试仪器，MSD烘烤箱

　　尚鼎除湿撰：近期三星对外公布完整下一代 AI 存储技术路线图，围绕大模型算力需求，在 HBM 高带宽内存、新型 3D 闪存两大赛道同步推进技术迭代，HBM5、zHBM、zNANDO、V10 BVNAND 等技术参数与时间节点正式浮出水面，新一代多层堆叠封装存储芯片，封装界面复杂，属于高等级 MSD 湿敏器件，生产、仓储环节的防潮管控压力进一步加大。

　　在 HBM 高带宽内存方向，HBM5 目标性能达到 HBM4E 的 2 倍，基础裸片升级至 2nm 工艺，提供 12/16/20 层多种堆叠方案，预计 2028 年推进量产；远期 zHBM 概念性能目标达到 HBM4E 的 8 倍，采用内存垂直堆叠于 AI 加速器之上的三维封装架构，追求极致带宽与算力匹配，面向下一代智算、大模型训练场景。
　　闪存侧，V10 BVNAND 实现 400 层以上堆叠，凭借晶圆键合工艺，存储密度较上代提升 58%，IO 读写性能同步增强。全新 zNANDO 技术定位 DRAM 级速度、NAND 级大容量，比特密度可达 DRAM 的 10 倍，读取带宽、能效达到传统 NAND 的 7 倍，计划 2028 年开启样品供货，解决 LLM 推理场景存储带宽与容量矛盾。
　　随着存储芯片层数越堆越高，晶圆键合、多芯片复合封装大量应用，器件内部界面数量成倍增加。这类先进存储芯片大多归类 MSL3-MSL5 湿敏等级，一旦仓储、车间周转阶段吸入水汽，回流焊高温下极易出现封装分层、空洞、爆米花失效，直接造成高价值存储芯片报废，同时埋下服务器、AI 算力硬件长期可靠性隐患。
　　按照 JEDEC J-STD-033 标准，开封后的 HBM、高层数 3DNAND 等 MSD 器件，不能放置普通库房，必须存放于超低湿防潮环境，严格管控吸湿累积的车间寿命，必要时执行标准化烘烤流程去除内部水汽。
　　尚鼎快速超低湿防潮柜、MSD烘烤箱完整匹配先进存储芯片仓储需求，可实现 5-10 分钟快速回落至目标湿度，稳定维持 1-5% RH 超低湿环境，适配 HBM、3D NAND 料盘、晶圆载体存储，完整落实 J-STD-033 湿敏器件管控规范，帮助半导体与 AI 硬件制造企业，规避新一代堆叠存储器件受潮失效风险，保障高价值存储元器件全流程可靠性。

（本文资讯由尚鼎独家提供，转载请注明！另，目前发现有人转载本司文献，而为已用，并标识为其自主文献，此类人物烦请自重！）

　　　　　SD快速超低湿防潮柜

版权所有：深圳尚鼎除湿 防潮柜www.sd-dry.com